reverse voltage protection

diode：浪費的電 = V_F x I_F，以 1N5401T 為例，2A 時 V_F = 0.85，浪費 1.7W。

schottky diode：有較小的 V_F，但注意許多有達數 mA 的 reverse leakage current (I_R)，保護效果較差。STPS2L60 2A 時 V_F = 0.55 = 1.1W，I_R < 100uA。

pMOSFET FQP47P06 V_GS < -4V 時 ON。MOSFET 有 parasitic body diode ，接 12V 電源有 1V 壓降，相當於 V_GS = 1V - 12V = -11V，R_DS(ON) 最大 = 0.026 ohm，浪費 I²R = 2² x 0.026 = 0.104W。選擇 pMOSFET，V_DS 耐壓要夠，V_GS break down 電壓要夠，R_DS 越小越好。

有些 MOSFET V_GS break down 電壓只有 +-15V，Gate 加電阻到地，Gate 和 Source 間放 10V zener diode，讓 V_GS 最大 10V

https://www.youtube.com/watch?v=IrB-FPcv1Dc

https://lirobo.blogspot.com/2020/03/bjt.html